سرقت فناوری سامسونگ برای ساخت کارخانه مشابه در چین؛ ۲ مقام سابق شرکت بازداشت شدند



به گزارش روز چهارشنبه ایرنا از خبرگزاری یونهاپ، آژانس پلیس متروپولیتن سئول (SMPA) اعلام کرد: آقای «چوی» رئیس شرکت چنگدو گائوجن (CHJS) چین به همراه آقای «او» طراح این شرکت که سابقه فعالیت در شرکت سامسونگ داشته‌اند به اتهام نشت و سوء استفاده از فناوری‌های اصلی حافظه نیمه‌هادی این شرکت، به دادستانی کره‌جنوبی فرستاده شدند.

این نهاد افزود: چوی به طور غیرقانونی فناوری‌های اصلی توسعه‌یافته سامسونگ برای تولید حافظه دستیابی مستقیم پویا (DRAM) هوش مصنوعی با فناوری ۲۰ نانومتری را دزدیده است.

حافظه‌های دستیابی مستقیم پویا، نوعی حافظه موقت در رایانه‌ها و دستگاه‌های الکترونیکی هستند که برای ذخیره‌سازی داده‌ها استفاده می‌شوند.

آژانس پلیس متروپولیتن سئول ارزش اقتصادی فناوری‌های نشت شده سامسونگ را چهار تریلیون و ۳۰۰ میلیون وون (معادل سه میلیارد و ۲۰۰ میلیون دلار آمریکا) برآورد کرده است.

این نهاد تصریح کرد: ما درحال بررسی انتقال فناوری‌های دیگر از سوی کارمندان سابق سامسونگ به شرکت چنگدو گائوجن چین هستیم.


منبع: https://www.irna.ir/news/85593384/%D8%B3%D8%B1%D9%82%D8%AA-%D9%81%D9%86%D8%A7%D9%88%D8%B1%DB%8C-%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%DB%8C-%D8%B3%D8%A7%D8%AE%D8%AA-%DA%A9%D8%A7%D8%B1%D8%AE%D8%A7%D9%86%D9%87-%D9%85%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D9%87-%D8%AF%D8%B1-%DA%86%DB%8C%D9%86-%DB%B2-%D9%85%D9%82%D8%A7%D9%85-%D8%B3%D8%A7%D8%A8%D9%82